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CM100DUS-12F中文资料

  • 大小:129.17KB
  • 厂家:MITSUBISHI [Mitsubishi Electric Semiconductor]
  • 描述:HIGH POWER SWITCHING USE
  • 标准包装:2
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:IGBT
  • 系列:IGBTMOD™
  • IGBT 类型:沟道
  • 配置:半桥
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开):2.7V @ 15V,100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100A
  • 电流 - 集电极截止(最大):1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies):27nF @ 10V
  • 功率 - 最大:350W
  • 输入:标准型
  • NTC 热敏电阻:无
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商设备封装:模块

CM100DUS-12F供应商

更新时间:2023-03-03 11:13:16
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